シーメンスISSウェビナー事務局
将来のエンジニアリング力の向上とイノベーションの達成を目指す各企業様にとってSimcenter™による包括的なデジタル・ツインは必要不可欠なソリューションとなります。
中でもシミュレーションやテストソリューションはその中心的な役割を担っています。
本カンファレンスではSimcenterのユーザー様にご登壇頂き、複雑化する製品開発に対するこれら様々なソリューションの適用方法についてご紹介頂きます。
※当日は3講演のうち、お好きな講演にご参加いただけます。各講演の開始時刻になりましたらご自由にご参加ください。
▶第１部 14:00 ~ 14:30
株式会社陣内工業所 中村 仁 様、日置電機株式会社 寺西 望 様、シーメンス株式会社 佐伯 卓哉（30分）
「劣化勘案した電池のARCデータを併用したシミュレーションによる熱暴走解析のコンセプト紹介」
カーボンニュートラルへの対応が差し迫る状況の中、バッテリーEV（BEV）の開発と普及が急ピッチで進んでいます。
開発速度を向上するためにシミュレーション技術の応用に対する期待が高まっています。電池開発においても例外ではありませんが、
特にBEV開発の手戻りが大きい電池の劣化を含めた電気特性と、熱暴走周りでのシミュレーションを統合的に
表現できる技術の開発が期待されています。モデルを構築し加えて熱暴走をシミュレーションにて正確に表現するためには
電池の自己発熱を正確に見積もる必要があります。我々は電池の自己発熱を正確に採取できるARCを導入しました。
また、劣化後の予測を正確とするための活動をしておりまして、左記活動のコンセプトと概況を説明いたします。
▶第２部 14:30 ~ 15:00
東京エレクトロン テクノロジーソリューションズ株式会社 山本 康介 様（30分）
「熱解析との連携によるシリコンウェーハ温度制御機構の設計探査事例」
現在多くの半導体製造プロセスでは直径300mm・円板状のシリコンウェーハに対して表面にさまざまな加工処理を施します。
その時ウェーハ面内の温度制御はプロセスの品質を左右する重要な課題のひとつです。
本講演ではウェーハの支持筐体による温度制御と周囲環境をモチーフとし、COMSOL Multiphysics®による熱解析モデルと
HEEDSを組み合わせた設計探査の事例をご紹介します。
▶ご休憩 15:00 ~ 15:10（10分）
▶第３部 15:10 ~ 16:00
国立研究開発法人 産業技術総合研究所(AIST) 加藤 史樹 様（50分）
「SiC-MOSFETの過渡熱測定 〜トレンチMOSFETとショットキーダイオード内蔵MOSFETの比較〜」（50分）
近年、入手が容易になってきたSiC-MOSFETは、従来のSiパワー半導体に比べて低オン抵抗や高速スイッチング（低スイッチング損）、
高温動作などのポテンシャルが高いため電力変換器の高性能化につながるデバイスとして期待されています。
年々パワー密度が向上している電力変換器において、機器動作中のパワーデバイス温度予測のために熱応答特性（過渡熱インピーダンス）を
正確に測定する技術が従来に増して重要になってきています。SiC-MOSFETは従来のSi-MOSFETと同様の方法で、
ボディダイオードを利用してジャンクション温度を測定しようとすると、誤った結果を取得してしまう危険性があります。
本講演では、SiC-MOSFETの代表としてSiC-トレンチMOFETと、ショットキーダイオード内蔵MOSFET（SWITCH-MOS）の比較から、
SiC-MOSFETの正確なジャンクション温度を得るために、どのような点に注意して測定を行うと良いのかを解説します。
開 催 形 式 ： オンラインセミナー（WebEXを使用）
※下記お申し込みフォームよりご登録いただきましたら、セミナー前日に視聴用リンクをお送りいたします。
開 催 期 間 ： 2022年3月10日(木)14:00 ～ 16:00
参 加 費 用 ： 無料
定員 ： 500名 ※定員に達した場合は申込を締め切らせていただきますのでご了承ください。
お 問 合 せ ： シーメンス株式会社 ISSセミナー事務局
Email : iss_japan_webinar.sisw@siemens.com
※画面右下のポップアップからでもお問合せいただけます。